Силовой модуль IGBT FP25R12KE3BOSA1

6500,00 

Описание

IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A
Максимальная рабочая температура +125 °C
Длина 107.5мм
Transistor Configuration Трехфазные
Производитель Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 40 A
Тип корпуса EconoPIM2
Максимальное рассеяние мощности 150 Вт
Тип монтажа Монтаж на печатную плату
Минимальная рабочая температура -40 °C
Ширина 45мм
Высота 17мм
Число контактов 24
Размеры 107.5 x 45 x 17мм
Конфигурация 3-фазный мост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Вес, г 209.9